击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反覆循环，最后使pn结髮生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可製造稳压二极体、雪崩二极体和隧道二极体等多种器件。

形成反偏PN结击穿的物理机制有两种：齐纳击穿和雪崩击穿。重掺杂的PN结由于隧穿机制而发生齐纳击穿， 在重掺杂PN结内，反偏条件下两侧的导带和价带离得很近，以致电子可以由P区直接隧穿到N区的导带。