1964年研究出绝缘栅场效应电晶体。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。与双极型积体电路相比，MOSIC具有以下优点：①製造结构简单，隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS积体电路功耗低、集成度高，宜用作数字积体电路；双极型积体电路则适用作高速数字和模拟电路。

按电晶体的沟道导电类型，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS电晶体结合成一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS 、NMOS和CMOS积体电路。随着工艺技术的发展，CMOS积体电路已成为积体电路的主流，工艺也日趋完善和複杂 ，由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和互补金 属-氧化物-半导体（CMOS）电路优点的BiCMOS积体电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属（如钼、钨）栅等MOSIC，栅极尺寸已由微米进入亚微米（0.5～1微米）和强亚微米（0.5微米以下）量级 。此外，还发展了不同的MOS积体电路结构的MOSIC：如浮栅雪崩注入MOS（FAMOS）结构，用于可擦写唯读存贮器；扩散自对準MOS（DMOS）结构和V型槽MOS结构等，可满足高速、高电压要求。近年来发展了以蓝宝石为绝缘衬底的CMOS结构，具有抗辐照、功耗低和速度快等优点。MOSIC广泛用于计算机、通信、机电仪器、家电自动化、航空航天等领域，可使整机体积缩小、工作速度快、功能複杂、可靠性高、功耗低和成本便宜等。