一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应电晶体，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。