这是在奔腾CPU推出后出现的新型记忆体条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主机板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线记忆体条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。适用DIMM的记忆体晶片的工作电压一般为3.3V（使用EDORAM记忆体晶片的168线记忆体条除外），适用于SIMM的记忆体晶片的工作电压一般为5V（使用EDORAM或FBRAM记忆体晶片），二者不能混合使用。

DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插记忆体模组）与SIMM(single in-line memory module，单边接触记忆体模组)相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样採用DIMM，SDRAM 的接口与DDR记忆体的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将记忆体反向插入而导致烧毁；DDR DIMM则採用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR记忆体是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2记忆体也是插不进DDR DIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主机板上，不会出现将记忆体插错插槽的问题。

为了满足笔记本电脑对记忆体尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也开发了出来，它的尺寸比标準的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR记忆体规格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外笔记本记忆体还有MicroDIMM和Mini Registered DIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin；Mini Registered DIMM接口为244pin，主要用于DDR2记忆体。DDR3 SO-DIMM接口为204pin；DDR4 SO-DIMM接口为260pin。

因为一般的记忆体主要是採用传统的64位并行设计，即北桥晶片的记忆体控制器与记忆体模组之间均通过64位的并行汇流排来数据交换，但此类并行汇流排设计有一个最大的缺点：就是相邻线路很容易受到干扰。这是因为一般的DIMM採用一种“短线连线”(Stub-bus)的拓扑结构。

在这种结构中，每个晶片与记忆体控制器的数据汇流排都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不连续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或晶片颗粒越多，影响也就越大。这也是一般基于此类并行体系的记忆体如DDR频率低下的原因。

Small Outline Dual Inline Memory Module(缩写SODIMM):小外形双列直插式记忆体模组。

主要有三种：带暂存器的、不带暂存器的与低负载。这些类别定义了由记忆体模组施加的电力负载。

Registered DIMM（RDIMM）是最常见的记忆体模组类型。RDIMM使用暂存器，从电力上将记忆体模组从剩余主机板中隔离出来。积极的一方面是，只需更少的电力负载支持，系统能够填充更多RDIMM，支撑记忆体容量。不好的是缓冲组件增加了对记忆体转换的延迟，稍微降低了性能并增加了能耗需求。

Unregistered DIMM（UDIMM）是与RIMM一样的记忆体设备，无需缓冲。该记忆体模组只有少许延迟与能源消耗，但为主机板呈现的是更大的电力负载。UDIMM限制了每个通道能够使用的多少DIMM。拥有UDIMM记忆体的伺服器无法支持与使用RIMM一样的记忆体容量。UDIMM通常为那些需要适度记忆体数量与中等延迟的伺服器而準备的。

低负载DIMM（LRDIMM）不使用比较複杂的暂存器，而是使用简单缓冲。缓冲降低了在下层主机板上的电力负载，但对能源与记忆体性能几乎无影响。不似RDIMM与LRDIMM让伺服器製造商在每个记忆体通道上放更多模组。因此，LRDIMM设计能包含大型卷系统记忆体，而不产生高的延迟费用。

两个RDIMMS无法成为一个LRDIMM：伺服器无法在一个通道中混合模组类型，例如，两个RDIMM与一个LRDIMM。通常，伺服器也无法在通道之间混合不同DIMM。选择一个DIMM类型，能交付最佳容量与性能即可。

一般来说，使用伺服器能够支持的最大的DIMM。这通常可以为系统潜在整合（或故障恢复）提供最佳价值与更多的记忆体。管理员能节省成本，并能使用更小模组填充DIMM插槽，但这样可能无法为未来升级预留足够记忆体，还可能使得高级可用性功能，如记忆体保留与镜像更加麻烦。

对于虚拟与整合伺服器来说，安装更多记忆体貌似是最简单的答案，但更多的记忆体失败的风险更大，还会破坏伺服器的工作负载。

大多数DIMM使用“×4”（“by four”）或“×8”（“by eight”）记忆体晶片构建，每侧有9个晶片; “×4”和“×8”指的是DRAM晶片的数据宽度，以位为单位。

在“×4”暂存DIMM的情况下，每边的数据宽度是36位; 因此，存储器控制器（需要72位）需要同时定址两侧以读取或写入所需的数据。 在这种情况下，双面模组是单排的。 对于“×8”暂存的DIMM，每侧为72位宽，因此存储器控制器一次仅对一侧进行定址（双面模组为双列）。

上面的例子适用于存储72位而不是更常见的64位的ECC存储器。每组8位还有一个额外的晶片，不计算在内。

有时，存储器模组设计有两个或多个独立的DRAM晶片组，连线到相同的地址和数据汇流排;每个这样的集合称为排名。由于所有等级共享相同的汇流排，因此在任何给定时间只能访问一个等级;它通过激活相应的秩的晶片选择（CS）信号来指定。通过使其相应的CS信号停用，在操作期间停用所有其他等级。 DIMM通常製造，每个模组最多有四个等级。消费者DIMM供应商最近开始区分单排和双排DIMM。

在取出存储器字之后，存储器通常在延长的时间段内不可访问，而读出放大器被充电以访问下一个单元。通过交织存储器（例如，单元0,4,8等一起存储在一个等级中），可以更快地执行顺序存储器访问，因为读出放大器在访问之间具有3个循环的空闲时间用于再充电。

DIMM通常被称为“单面”或“双面”，以描述DRAM晶片是位于模组的印刷电路板（PCB）的一侧还是两侧。然而，这些术语可能引起混淆，因为晶片的物理布局不一定与它们在逻辑上组织或访问的方式有关。

JEDEC认为，当套用于已注册的DIMM（RDIMM）时，术语“双面”，“双面”或“双存储”不正确。

DIMM中通常使用多种形状因子。单数据速率同步DRAM（SDR SDRAM）DIMM主要以1.5英寸（38毫米）和1.7英寸（43毫米）高度製造。当1U机架式伺服器开始变得流行时，这些外形尺寸的DIMM必须插入有角度的DIMM插槽，以适应1.75英寸（44毫米）高的盒子。为了缓解这个问题，DDR DIMM的下一个标準是在“低调”（LP）高度约为1.2英寸（30毫米）的情况下创建的。这些适用于1U平台的垂直DIMM插槽。

随着刀片伺服器的出现，成角度的插槽再次变得普遍，以便在这些空间受限的盒子中容纳LP形状因子DIMM。这导致开发了超低剖面（VLP）形状因子DIMM，高度约为0.72英寸（18毫米）。用于VLP DIMM高度的DDR3 JEDEC标準约为0.740英寸（18.8 mm）。这些将垂直适合ATCA系统。

全尺寸240针DDR2和DDR3 DIMM均按照JEDEC设定的标準规定，高度约为1.18英寸（30毫米）。这些外形尺寸包括240针DIMM，SODIMM，Mini-DIMM和Micro-DIMM。

全高288针DDR4 DIMM比DDR3同类产品略高，为1.23英寸（31毫米）。同样，VLP DDR4 DIMM也比DDR3等效产品略高，接近0.74英寸（19毫米）。

截至2017年第二季度，华硕已经推出了基于PCI-E的“DIMM.2”，它具有与DDR3 DIMM类似的插槽，用于连线最多两个M.2 NVMe固态硬碟的模组。但是，它不能使用普通的DDR型ram，除了华硕之外没有太多的支持。