DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代记忆体技术标準，它与上一代DDR记忆体技术标準最大的不同就是，虽然同是採用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2记忆体却拥有两倍于上一代DDR记忆体预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2记忆体每个时钟能够以4倍外部汇流排的速度读/写数据，并且能够以内部控制汇流排4倍的速度运行。
由于DDR2标準规定所有DDR2记忆体均採用FBGA封装形式，而不同于广泛套用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2记忆体的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代套用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高记忆体的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端汇流排对记忆体频宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2记忆体将是大势所趋。
基本介绍
- 外文名：Double Data Rate 2
- 简称：DDR2
- 研发机构：电子设备工程联合委员会
- 套用领域：计算机领域
种类区别
延迟问题
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2记忆体拥有两倍于标準DDR记忆体的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都採用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
DDR2记忆体的频率
DDR2记忆体的频率这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2记忆体中，后者的记忆体延时要慢于前者。举例来说，DDR 400和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的频宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的频宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
封装
DDR2记忆体技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在採用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标準DDR的400MHZ限制。
DDR2
DDR2DDR记忆体通常採用TSOP晶片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2记忆体均採用FBGA封装形式。不同于广泛套用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2记忆体的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2记忆体採用1.8V电压，相对于DDR标準的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
双通道记忆体
需要INTEL晶片组的支持，记忆体的CAS延迟、容量需要相同。
不过，INTEL的弹性双通道的出现使双通道的形成条件更加宽鬆，不同容量的记忆体甚至都能组建双通道
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
离线驱动
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR Ⅱ通过OCD可以提高信号的完整性。DDR Ⅱ通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
终结电阻器
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主机板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主机板的製造成本。实际上，不同的记忆体模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主机板上的终结电阻并不能非常好的匹配记忆体模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主机板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
利用效率
Post CAS：它是为了提高DDR Ⅱ记忆体的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设定。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 採用双通道运行，速度是DDR的2倍。 总的来说，DDR2採用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
技术特点
DDR2引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和PostCAS。
OCD（Off-ChipDriver）：也就是所谓的离线驱动调整。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。
PostCAS：它是为了提高DDR2记忆体的利用效率而设定的。
选购策略
性价比
选购DDR2记忆体还是要买主流频率的产品，不要一味追求高频的记忆体，在价格相差不大的情况下，购买时不妨考虑高频率，毕竟频率提升，对整体性能发挥还是有一些帮助的。不过前提是主机板支持高的外部频率，否则也大材小用了。记忆体市场的行情瞬间万变，特别是高端的产品，跌价很快，有的高频的记忆体产品也不像刚上市时贵得离谱了，对于一些真正的发烧友来说，还是值得购买的。
品牌
个人用户正越来越重视记忆体条的品质，购买散装记忆体条的用户已越来越少，品牌记忆体逐渐成为了购买的主流，毕竟其品质、做工、性能和稳定性消费者是有目共睹的，不少还提供长达三年的保修期，终身保固，售后服务更是散装条子难以匹敌的。注意不要把品牌记忆体与市场上来些所谓的“三星”“现代”记忆体混淆，那些只是採用三星或HY的晶片而已，条子则是由一些小作坊组装的，质量无法保证。为了和这些劣质产品区分开，原装正品的名字一般都不一样，例如韩国三星电子在中国销售的原装正品记忆体条，一律叫三星金条。
发展历程
过去
DDRⅡ记忆体能有如此之多的技术革新，归功于研究人员们多年的研究。其实早在1998年JEDEC（电子工程设计发展联合协会）就开始着手研究DDR2技术，2003年就通过了JEDEC规格标準化。在Intel推出915/925晶片组之前，DDR2与DDR400相比，除了在技术性能上更加优秀外，无论是实用性还是性价比都没有优势可言。在大多数FSB为800MHz的Intel Pentium4处理器面前，双通道模式下的DDR400所提供的6.4GB/S的频宽就已经能满足要求，而DDR2上市之初的价格也无法与DDR相抗衡，所以无论从性能需求还是从性价比去考虑，DDR2在上市好一段时间内都是在低市场份额情况下徘徊。
直至2005年年初，新的LGA775 Pentium4仍然使用800MHz前端汇流排，老迈的DDR400仍然能够满足频宽需求。DDR2在增加记忆体频宽的同时也增加了记忆体延迟时间，也就是说每次操作要耗费的时钟周期将会增加。DDR2记忆体需要4个时钟周期或者5个时钟周期，tRAS也可能会增加到最少8个时钟周期，而高速DDR记忆体的tRAS可以达到5个时钟周期。因此在800MHz前端汇流排下，DDR2并没有为系统性能带来多大的提升，只有CPU的前端汇流排再次提升后，DDR2才能真正发挥出其高频宽上的优势。
此外，Intel 915/925晶片组也同时支持DDR记忆体，即使未来的CPU前端汇流排提升至1066MHz或者更高的1200MHz，对于一些高规格的DDR566、DDR600仍能满足频宽的要求。因此在DDR2取代DDR的过渡期中，DDR还是能表现出较旺盛的生命力。
目前
儘管高频率的DDR566、DDR600可以满足Intel 915/925平台的需要（1066MHz），但是高规格的DDR良品率与成本并不容易控制，在对性价比非常敏感的中国市场，高规格的DDR注定是难成气候。在915/925平台上，追逐性价比的大多数用户会更加看好DDR2记忆体。
最新的945/955X已经正式放弃了对DDR记忆体的支持，记忆体规格上也提升到双通道DDR2-667的水準，Intel的这一做法无疑是向DDR宣判死刑。如果说915/925时期还是DDR2与DDR的共存过渡期，那幺945/955则是DDR2全面取代DDR的全盛时代。
主机板晶片组的新兴势力nⅥDIA也推出了支持DDR2-667记忆体的nForce4 SLI Intel Edition，其他晶片组厂商当然也是跟风一片。就连比较顽固的AMD也都决定在其下一代Athlon64/Opteron处理器上将整合DDR2-667记忆体控制器，这标誌着DDR2-667将取代现有的DDR2-533成为新的标準。儘管DR2在延迟时间长还是存在不足，但凭着高频率的优势，DDR2-667系统的实际效能将明显超越DDR体系。记忆体厂商对DDR-2也表现出了乐观的态度。
DDR2记忆体规格有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667、DDR2-800四种型号。在记忆体容量上，DDR2与DDR一样，同样拥有多种规格，常见的规格有256MB至2GB不等。
DDR2上主流的是DDR2-800。DDR2正逐渐被DDR3取代。
未来
DDR2的下一代接班人
出于兼容性的考虑，DDR2标準在制定之初似乎显得有些缩手缩脚，这也直接导致其各方面表现比起DDR没有长足进步。新一代的DDR3採用了ODT（核心整合终结器）技术以及用于最佳化性能的EMRS技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPⅡ与mBGA封装形式，採用更为先进的FBGA封装。DDR3记忆体用了0.08微米製造工艺製造，将工作在1.5V的电压下。
从长远趋势来看，拥有单晶片位宽以及频率和功耗优势的DDR3是令人鼓舞的。
DDR3正逐步加速取代DDR2，DDR3已成为装机的主流和标配。
性能分析
DDR2 SDRAM一出现就迅速得到伺服器、工作站和个人计算机OEM厂商的广泛支持，DDR2存储器具有高数据速率、低功耗以及高密度特点，这些特点也适合当前数字消费电子产品的套用需求，如机顶盒和数位相机等。本文对比分析了DDR2相对传统存储器的性能特点，并介绍了DDR2在数字消费电子产品上的套用机会。
DRAM市场的特点是技术不断提高而需求也持续增长。对这些套用来说，DDR2 SDRAM是一个理所当然的选择，因为它的速度和频宽比DDR SDRAM高很多，DDR2的1.8V工作电压使得它可以比其上一代产品功耗整整低50%。
但是，DDR2的优势决不仅局限于这些套用，DDR2的高密度、高功效和改善的热特性为桌上型电脑、笔记本电脑和小外形消费电子产品带来了巨大优势。这些优势的利用将依赖于封装和模组技术的不断发展，特别是在消费电子产品领域。这个新兴的市场代表着DRAM工业一个新的前沿套用，它将为那些愿意接受挑战以满足新要求的商家带来大量机会。
向DDR2转换
伺服器、工作站和个人计算机等传统DRAM市场正在快速向DDR2转换。英特尔公司已经宣布其未来的所有晶片组将支持DDR2，其它的主要晶片组供应商看起来也将步英特尔的后尘。今春英特尔开发商论坛和存储器生产商论坛所开展的活动使那些希望向DDR2加速转变的人受到鼓舞，DRAM市场上的大部分主要供应商提供经过英特尔验证的DDR2产品。半导体生产设备从8英寸到12英寸晶圆工艺的转变有助于提高产品良率，进而提高DRAM的产量。对于1Gb DRAM器件来说，在单一晶片上既支持DDR1又支持DDR2架构的电路技术很关键，它使得向DDR2的转换更加容易。
DDR2 SDRAM的优势
DDR2 SDRAM的数据传输速率最高为533Mbps，这是DDR266的两倍。除了在原始频宽方面的一些提高外，它还提高了系统的性能和功效，并方便系统设计。这些改进可以分成以下四大类：
4位预取架构 採用DDR2的4位预取（Prefetch）架构，DDR2 SDRAM作为外部汇流排每个时钟从存储器单元阵列读/写的数据量是原来的四倍，而且其工作频率比内部汇流排频率快四倍。DDR2 SDRAM、DDR SDRAM 和SDR SDRAM与工作频率为100MHz的DRAM之间的比较结果如下图所示。
片上端接 DDR2的其它特性为主机板设计工程师带来了好处，例如利用DDR2的片上端接（ODT）来简化DQ汇流排设计。在DDR2 SDRAM中，端接暂存器（termination register）就实现在该DRAM晶片之中，而不是安装在主机板上（见下图）。DRAM控制器可以为每个信号设定端接暂存器的开或关，这些信号包括数据I/O 、差分数据选通信号和写数据禁止。利用ODT就不需要Vtt发生器或Rtt电阻，而且能降低多重反射，提高信号完整性并增加时序裕量。
片外驱动器（OCD）校準 OCD校準改进了DDR2 SDRAM的信号完整性。其做法是：设定该I/O驱动器的电阻来调整该电压，补偿上拉/下拉电阻；通过将DQ-DQS偏移降到最低来改进信号完整性；控制过沖和下冲来改进信号质量；通过I/O驱动器电压校準可以修正不同DRAM供应商之间的工艺差异。前置CAS和附加延迟 在一个前置CAS操作中，一个CAS信号（读/写命令）可以在RAS信号输入之后成为下一个时钟的输入。该CAS指令可以在DRAM一侧保持，并在附加的延迟（0、1、2、3和4）之后执行。这样简化了控制器设计，因为它可以避免指令汇流排上的冲突。而且，採用一个简单的指令序列还可以提高指令和数据汇流排的效率。由于在读/写指令之间不存在“气泡”（bubble）或空隙周期，因此实际的存储器频宽也得到提高。最后一点，DDR2採用细间距球栅阵列(FBGA）封装可以减小系统尺寸，并提高信号完整性。这种技术的一个变体是新型的堆叠式FBGA(sFBGA），它增加了各模组之间的空气流动空间从而提高了热性能和可靠性。这类符合行业标準、兼容JEDEC的创新是最佳化DDR2优势的关键。
存储器模组
对那些已经充分準备转向DDR2的开发商来说，用于伺服器平台的1GB和512MB DDR2带暂存器的双列直插式记忆体模组（registered DIMM）已经可以批量提供，2GB的DDR2 带暂存器的DIMM已可以提供样品。这些2GB的模组将使伺服器产品的密度有很大提高，同时可以实现高达每秒4.3GB的数据传输率。 全缓冲的DIMM(FB DIMM）也在开发之中，它可以适应新的更高速汇流排技术要求，如PCI Express。FB DIMM对伺服器市场将非常重要，因为伺服器需要高频宽和高密度。儘管DDR2明显增加了速度和频宽，但在主机板上安放带暂存器的DIMM的数量还是有限度的，否则就会使核心逻辑晶片组过载。通过给该DIMM加缓冲器的方式，该晶片组可以连到第一个DIMM，第一个DIMM再连线到第二个DIMM，然后第三个...，同时缓冲器把信号传送到下一个DIMM。每个汇流排被分段，因而更多的DIMM可以加到主机板上，晶片组的负载也降到最低。用于伺服器的FB DIMM模组估计在2005年后期上市。
系统性能
除了存储器架构外，採用DDR2的系统还将採用该新存储器架构要求的先进核心逻辑技术。例如，英特尔用在桌上型电脑上的DDR2有四个接口：到CPU的前端汇流排（FSB）接口，到GPU的图形汇流排接口，外设I/O汇流排和主存储器汇流排。为使系统性能最最佳化，FSB、图形汇流排和主存储器汇流排应该各自工作在大致相当的频宽上。在这里，处理器的FSB传输数据率为800MHz×8B=6.4GBps；採用PCI-Express技术的图形汇流排（×16）的传输数据率为8GBps；具有一个双通道的DDR2 DIMM（533MHz×8B×2通道）传输数据率为8.5GBps。这三个接口相对平衡，没有一个接口会明显地成为其它接口的瓶颈。
移动套用
随着1GB的DDR2小外形双列直插存储器模组（SO-DIMM）即将问世，笔记本电脑也将利用到DDR2的低功率、高密度、高性能和小形状因子等优势。由于网际网路的发展和无线通信性能的提升，蜂窝手机和PDA等其它移动套用也逐渐开始处理更大量的数据、声音和视频流，这些套用未来也可能套用到DDR2器件来实现性能的提升。
这个市场上的DRAM产品均基于SDR和DDR器件架构，并提供移动RAM特定功能，如：部分阵列自刷新，即只刷新一部分特定的存储器单元阵列以降低自刷新电流；温度补偿自刷新，即通过调整刷新频率来适应温度的变化，从而可以起到降低自刷新电流的类似作用；深度功率下降（Deep Power Down），即切断内部电压以实现最低功耗。
多种封装
随着DRAM的密度、速度和功效的继续改进，需要DRAM来处理日益複杂功能的消费产品也会有相应的增加，灵活性和多样性是这类套用的关键。一种规格适合所有套用的策略在传统计算系统领域得到很好套用，但以消费者为中心的数位照相机、数位电视机、硬碟录像机和个人视频录像机等产品需要有一些新的改变。
消费电子产品市场将可能坐上向DDR2转变的末班车，DRAM供应商已经在探索开发这些市场的途径。根据消费产品市场特点，很显然有必要提供各种各样的封装选择，如TSOP、FBGA和LQFP。适合在客户自己的多晶片封装（MCP）或系统级封装（SiP）设计上实现的“裸片”产品是一种重要的设计考虑。在新兴市场上能提供各种密度的产品也是非常重要的，例如64Mb、128Mb和256Mb，并且有16位和32位两种结构。
多样化需求
消费套用的需要具有多样化考虑，以汽车导航系统为例，这些系统不仅需要宽频数据传输能力，而且还必须在很宽的环境温度下工作。这需要存储器的工作範围为-40到85°C，而标準DRAM的工作範围为0到70°C。而数字广播、机顶盒和数位电视全是宽频套用，常规的DDR SDRAM器件可以达到3.2GBps的数据传输率，因而能满足标準清晰度数位电视和高清数位电视的需求。
类似DVD/HD录像机这样的消费产品正在从根本上改变家庭电视机的作用。这些产品可以获益于DDR2的更高存储器容量和速度。DDR和DDR2技术的正确套用将有助于这个市场的成长，而且DRAM市场有能力轻鬆地适应这些套用不断发展的需求。
图像质量的改善和微型化推动了数字摄像机的发展。数字摄像机中的视频处理可以用×32位I/O SDRAM或DDR SDRAM来最佳化，这是“裸片”设计用在客户自己的SiP方案的另一个重要领域。
数字机顶盒
在世界範围内，向数位电视的转变比预期的要慢，因为许多消费者仍然不愿意匆忙地去买一个数字调谐器和监视器。机顶盒是一个可行的替代选择，而机顶盒套用将是DRAM的另一个成长领域。
先进图形技术
最后一点，提供接近电影图像质量的先进图形技术也许是DRAM发挥其优越性能的另一个领域。由于网际网路的持续发展和通信线路的性能提高，数字消费电子产品开始处理更大量的数据和声音。这些环境增加了对超快、高容量DRAM的需求，如DDR2、RDRAM和XDR。
走线规则
时钟线包括 MEM_CLKOUT#0、MEM_CLKOUT0、MEM_CLKOUT#1、MEM_CLKOUT1，MEM_CLKOUT#2、MEM_CLKOUT2； MEM_CLKOUT#3、MEM_CLKOUT3、MEM_CLKOUT#4、MEM_CLKOUT4、MEM_CLKOUT#5、MEM_CLKOUT5。 DDR2时钟线走线规则 分线对与对之间的间距为20mil min； DDR时钟线对其他线的间距为20mil min； 北桥Breakout出来4mil，差分线对内间距6mil min，长度控制1000mil以内。再出来线宽6.5mil，差分线对内两根线的间距为5mils，蛇形线间距为20mils； DDR2时钟线走线长度约束规则 差分线对内两根线±10mils； 每个DIMM三对差分线匹配在50mils内，即最大值减最小值不大于50mils；所有线长在2850mils和6500mils间 阻抗控制： 70Ω±10%(差分线)
盘状结构
盘状结构域受体2
discoidin domain receptor 2 细胞膜上的一种蛋白络氨酸激酶。
