CMP是由美国史丹福大学提出的，其思想是将大规模并行处理器中的SMP（对称多处理器）集成到同一晶片内，各个处理器并行执行不同的进程。与CMP比较， SMT处理器结构的灵活性比较突出。但是，当半导体工艺进入0.18微米以后，线延时已经超过了门延迟，要求微处理器的设计通过划分许多规模更小、局部性更好的基本单元结构来进行。相比之下，由于CMP结构已经被划分成多个处理器核来设计，每个核都比较简单，有利于最佳化设计，因此更有发展前途。目前，IBM 的Power 4晶片和Sun的 MAJC5200晶片都採用了CMP结构。多核处理器可以在处理器内部共享快取，提高快取利用率，同时简化多处理器系统设计的複杂度。

2000年IBM、HP、Sun 推出了用于RISC的多核概念，并且成功推出了拥有双核心的HP PA8800和IBM Power4处理器。此类处理器已经成功套用不同领域的伺服器产品中，像IBM eServer pSeries 690或HP 9000此类伺服器上仍可以看到它们的身影。由于它们相当昂贵的，因此从来没得到广泛套用

05年四月，INTEL推出了第一款供个人使用的双核处理器，打开了处理器历史新的一页

06年底:第一款四核极致版CPU:QX6700(Quad eXtreme 6700)

06年底:第一款四核非极致版CPU:Q6600(Intel Core 2 Quad 6600)

07年五月:第二款四核极致版CPU:QX6800(Quad eXtreme 6800)

化学机械抛光是半导体工艺的一个步骤，该技术于90年代前期开始被引入半导体硅晶片工序，从氧化膜等层间绝缘膜开始，推广到聚合硅电极、导通用的钨插塞（W-Plug）、STI（元件分离），而在与器件的高性能化同时引进的铜布线工艺技术方面，现在已经成为关键技术之一。虽然目前有多种平坦化技术，同时很多更为先进的平坦化技术也在研究当中崭露头角，但是化学机械抛光已经被证明是目前最佳也是唯一能够实现全局平坦化的技术。进入深亚微米以后，摆在CMP面前的代表性课题之一就是对于低介电常数材料的全局平坦化。