BFQ76硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态範围和理想的电流特性。
基本介绍
- 中文名：BFQ67
- 封装材料：塑胶封装
- 封装形式：SOT-23
- 结构：扩散型
简介
主要套用于超高频低噪声功率管主要套用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模组等高频宽频低噪声放大器。该晶片 原产于PHILIPS，现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的军用微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研製开发了系列高频微波三极体，包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能 指标同NEC、philips同类产品相同。
BFQ67参数
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽频NPN电晶体
集电极-发射极电压VCEO：10V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:2.5V
集电极直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-23
功率特性：中功率
极性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑胶封装
电性能参数（TA=25℃）]：b]
击穿电压:V(BR)CEO=10V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V
直流放大係数hFE: 60～250@VCE=8V,IC=15mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特徵频率fT:8.0GHz@ VCE=8V,IC=15mA
集电极允许电流IC：0.1（A）
集电极最大允许耗散功率PT：0.5（W）
功率增益GUM：14dB@IC=15mA,VCE=8V,f=1GHz
噪声係数NF：1.3dB@IC=15mA,VCE=8V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.65 pF @IC=ic=0,VCB=8V,f=1MHz。
封装尺寸
SOT23封装
包装信息PACKAGE INFORMATION | ||||
型号TYPE | 封装形式Package | 数量/盘带Shipping | 盘/中盒Inner Box | 中盒/大箱Carton |
BFQ67 | SOT-23 | 3000/Tape&Reel | 10 Tape&Reel | 6 Inner Box |
MARKING | |
型号TYPE | 本体印字MARKING GODE |
BFQ67 | V2p |
